業界の主要な上場企業：第3世代半導体業界の現在の国内上場企業には、主にChina Resources Micro（688396）、Sanan Optoelectronics（600703）、Silan Micro（600460）、Wingtech（600745）、Xinjie Energy（605111）が含まれます。 、Roshow Technology（002617）、Star Semiconductor（603290）など。
この記事のコアデータ：第3世代の半導体分類、SiC、GaN電子電力およびGaNマイクロ波無線周波数出力値、SiC、GaN電子電力およびGaNマイクロ波無線周波数市場規模
業界の概要
1、定義
炭化ケイ素（SiC）、窒化ガリウム（GaN）、酸化亜鉛（ZnO）、ダイヤモンド、窒化アルミニウム（AIN）に代表されるワイドギャップ半導体材料は、第3世代半導体材料と呼ばれ、現在比較的成熟しています。 それらは炭化ケイ素（SiC）と窒化ガリウム（GaN）です。
従来の材料と比較して、第3世代の半導体材料は、高温、高電圧、および大電流に耐性のある高周波および高出力デバイスの製造に適しています。 そのため、それらをベースにした第3世代半導体はバンドギャップが広く、破壊電界が高く、熱伝導周波数が高く、耐放射線性が高いなどの多くの利点が、高温、高周波、と強い放射線。
第3世代の半導体には、主に炭化ケイ素（SiC）、窒化アルミニウム（AlN）、窒化ガリウム（GaN）、ダイヤモンド、酸化亜鉛（ZnO）が含まれます。 その中で、炭化ケイ素（SiC）と窒化ガリウム（GaN）は一緒に呼ばれます。それは& quot;デュアルヒーロー& quot;です。 第三世代の半導体材料の代表的なものであり、第三世代の半導体材料の代表的なものです。
2.産業チェーンの分析：産業チェーンには複数のリンクが含まれます
第3世代の半導体産業チェーンは、上流の原材料供給、中流の第3世代の半導体製造、および下流の第3世代の半導体デバイスリンクに分けられます。 上流の原材料には、基板とエピタキシャルウェーハが含まれます。 ミッドストリームには、オリンピックのボディ設計、ウェーハ製造、パッケージング、テストの第3世代バージョンが含まれます。 下流には、マイクロ波無線周波数デバイス、パワーエレクトロニクスデバイス、オプトエレクトロニクスデバイスなどの第3世代の半導体デバイスアプリケーションがあります。 中国&＃39;の第3世代半導体産業の産業チェーンは次のとおりです。
第三世代の産業チェーンのすべてのリンクに関与している国内企業があります。 基板ウェーハに従事する国内メーカーは、主にRoshow Technology、Sanan Optoelectronics、Tianke Heda、Shandong Tianyue、Weiwei Technology、Keheng Crystal、Gallium AluminiumOptoelectronicsなどを使用しています。 エピタキシャルウェーハの製造に従事するメーカーには、主にハンティアン天城、東莞天宇、ジンザンセミコンダクター、ジョネンジンユアン、イノセッコなどが含まれます。 BYD Semiconductor、Wingtech、China Resources Micro、Silan Micro、Star Semiconductor、Yangjie Technology、Tyco Tianrunなど、第3世代の半導体デバイスのメーカーは数多くあります。
産業開発プロセス：立ち上がり時間は比較的短い
中国の第3世代半導体は、比較的短期間で登場しています。 2013年、科学技術省の863計画では、最初に第3世代の半導体産業が国家戦争の戦略的開発産業としてリストされました。
第3世代の半導体開発の初年度である2016年、国務院の国家新産業開発グループは、第3の半導体産業を開発の焦点として挙げました。 国内企業は第3の半導体R& Dプロジェクトへの投資を拡大し、業界は急速な発展の時期に入りました。
2018年1月、CRRC株洲中車時代は中国で最初の6インチ炭化ケイ素生産ラインを建設しました。 2018年、TycoTianrunは最初の国内炭化ケイ素デバイス生産ラインを建設しました。 2019年9月、サナンインテグレーションは国内生産ラインを完成させました。 最初の6インチ窒化ガリウム（GaN）およびガリウムヒ素（GaAs）エピタキシャルチップの生産ラインが大量生産されました。 2020年7月、China Resources Microは、中国&＃39の最初の6インチ商用SiCウェーハ生産ラインの公式量産を発表しました。
2020年9月に第3世代半導体が& quot;第14次5カ年計画& quot;に書き込まれ、業界は最前線に押し出されました。
産業の発展状況
1.出力値のスケールはトレンドに逆らって大きくなります
5Gや新エネルギー車などの市場の発展に伴い、第3世代半導体の需要規模は急速に拡大しています。 同時に、米中貿易戦争の影響により、国内の第3世代半導体材料の開発機会がもたらされました。 2020年には、国内の大型半導体産業の低成長を背景に、我が国&＃39;の第3世代半導体産業はこのトレンドに逆らって成長するでしょう。
2020年には、私の国&＃39;の第3世代半導体産業である電子電力および無線周波数電子機器の総生産額は100億元を超え、2019年と比較して前年比69.5％増加します。
その中で、SiCとGaNの電子電力の出力値は44.7億元に達し、前年比で54％増加しました。 GaNマイクロ波無線周波数の出力値は60.8億元に達し、前年比で80.3％増加しました。
2、生産能力は大幅に増加しましたが、供給はまだ不十分です
CASAのデータによると、2020年末現在、私の国&＃39;のSiC導電性基板変換4インチ生産能力は約40万個/年、SiC-on-SiCエピタキシャルウェーハは6インチ生産能力に変換は約22万個/年、SiC-onSiCデバイス/モジュール（4/6インチ互換）生産能力は約26万個/年です。
6インチの生産能力に変換されたGaN-on-Siエピタキシャルウェーハは約28万個/年であり、6インチの生産能力に変換されたGaN-on-Siデバイス/モジュールは約22万個/年です。
しかし、新エネルギー車、5G、PD急速充電などの市場の発展に伴い、私の国&＃39;の国産の第3世代半導体製品は巨大な市場需要を満たすことができません。 現在、80％以上の製品が輸入されています。 第三世代の半導体製品は国内の代替スペースが大きいことがわかります。
3.パワーエレクトロニクス機器の市場規模は50億元に近い
2017年から2020年にかけて、中国&＃39;のSiCおよびGaNパワーエレクトロニクスデバイスアプリケーション市場は急速に成長しました。 2020年には、SiCおよびGaNパワーエレクトロニクスデバイスアプリケーション市場は46.8億元に達し、前年比で90％増加します。
2020年の私の国&＃39;の半導体ディスクリートデバイスの市場規模は約3002.6億元であり、SiCおよびGaNパワーエレクトロニクスデバイスのアプリケーション普及率は約1.56％です。
現在、GaNは主に無線周波数と急速充電の分野で使用されています。 SiCは主に新エネルギー車や充電パイルの分野で使用されています。 私の国は世界最大の新エネルギー車市場です。 新エネルギー車の充電パイルの分野での第3世代半導体デバイスの普及は、自動車市場の普及率よりも速く、38％を占めています。 消費者向け電源（PFC）は22％を占めています。 太陽光発電インバーターが15％を占めました。 産業用および商用電源、無停電電源装置UPS、急速充電源、および産業用モーターは、それぞれ6％、3％、3％、および1％を占めています。
2020年には、私の国&＃39;のGaNマイクロ波無線周波数デバイスの市場規模は約66.1億元になり、前年比で57.2％増加します。 その中で、防衛軍事および航空宇宙アプリケーションの規模は34.8億元であり、これがGaN無線周波数の主な推進要因となっています。
国防軍および航空宇宙アプリケーションは、私の国の主なアプリケーション分野です&＃39; sGaNマイクロ波無線周波数デバイス。 2020年の市場規模は、GaN無線周波数デバイス市場全体の53％を占めるでしょう。 続いてワイヤレスインフラストラクチャが続き、ダウンストリーム市場が36％を占めています。
業界の競争パターン
1.地域の競争パターン：江蘇省には最も代表的な第3世代の半導体企業があります
現在、私の国&＃39;の第3世代半導体は、当初、北京-天津-河北路、長江デルタ、珠江デルタ、福建デルタ、および中西部。
私の国の地域分布の観点から&＃39;第3世代の半導体産業産業チェーン企業、第3世代の半導体産業産業チェーン企業は全国のほとんどの州に分布しています。 その中で、河南省は第三世代半導体企業の数が最も多く、山東省、江蘇省、甘粛省の企業数は比較的集中しています。
代表的な企業の分布の観点から、江蘇省には、蘇州Navitas、Jingzhan Semiconductor、Innoseccoなどの最も代表的な第3世代の半導体企業があります。 同時に、広東省と山東省の代表企業にも代表企業が増えています。
2.企業の競争環境：主流企業は拡大を加速します
第一世代の半導体は、初期開発後、新エネルギー車、5G基地局、PD急速充電などの分野で急速に普及し、市場規模は急速に拡大しています。 同時に、業界内の競争は徐々に激化しています。 国内の主流半導体企業は、市場の需要に応え、市場での地位を獲得するために、第3世代半導体業界でのレイアウトを強化し、第3世代半導体の生産能力を拡大しています。 その中で、代表的な主流企業には、San &＃39; an Optoelectronics、CLP 55、TycoTianrunなどがあります。
業界の発展見通しとトレンド予測
1.産業規模は2025年に500億元を超えると予想される
第3世代の半導体は、& quot; 14th Five-Year Plan"に書き込まれています。 国の政策のサポートと下流の需要の成長の文脈で、2021年から2025年までに、私の国&＃39;のSiCおよびGaNパワーエレクトロニクスデバイスアプリケーション市場は年複利成長率で成長すると推定されています。 2025年には45％から300億元近くになります。 GaNマイクロ波無線周波数デバイスの市場規模は、2025年に年平均成長率25.4％で205億元に成長します。 第三世代半導体の全体的な市場規模は、2025年に500億元を超えると予想されています。
2、ローカリゼーションのプロセスが加速します
将来的には、市場競争の動向として、我が国&＃39の第3世代半導体産業のローカリゼーション率は深まるでしょう。 製品開発の傾向に関しては、SiCの需要が増加します。 技術開発の動向としては、大規模なSiベースのGaNエピタキシーなどの問題が増えるでしょう。 進歩があります。